Você já usou a pulverização ultrassônica na indústria fotorresistente?

A principal aplicação da pulverização por atomização ultrassônica na indústria fotorresistente é o revestimento do fotorresistente com alta precisão, alta uniformidade e alta cobertura de degraus. É particularmente bom para resolver os problemas de revestimento de microestruturas 3D, altas proporções e substratos grandes/irregulares que são difíceis de manusear pelo revestimento giratório tradicional, ao mesmo tempo que melhora significativamente a utilização e o rendimento do material.

1. Revestimento de wafer semicondutor (aplicações convencionais)

Planar Wafer Coating: Used for 12-inch and larger wafers, achieving ultra-thin, uniform photoresist layers (thickness 50–500 nm), with thickness error controllable within ±0.3–0.4 μm and uniformity >95%, melhorando significativamente a precisão da exposição e o rendimento dos cavacos.

Revestimento de wafer de estrutura complexa: visando trincheiras profundas, TSVs e estruturas de alta proporção, resolvendo problemas de-revestimento giratório, como acúmulo de borda, resistência inferior ausente e efeitos de sombreamento, alcançando cobertura uniforme nas paredes laterais e no fundo, garantindo a precisão da gravação/implantação de íons.

2. MEMS e revestimento de dispositivos de microestrutura

Revestimento de superfícies morfológicas complexas 3D, como chips MEMS, chips microfluídicos, sensores e microespelhos, proporcionando excelente cobertura de etapas, eliminando cantos mortos e bolhas e melhorando a confiabilidade do dispositivo.

Substratos Especiais e Revestimento Eletrônico Flexível

Revestimento de substratos sem{0}}silício, como vidro, cerâmica, metais e substratos flexíveis (por exemplo, PI, PET), adequado para peças de formato irregular/grande-tamanho/frágeis, evitando o risco de fragmentação causado pela centrifugação em alta-velocidade durante o revestimento giratório.

Revestimento de camadas fotorresistentes/funcionais em substratos flexíveis/curvos, como OLEDs flexíveis e células solares de perovskita.

P&D e prototipagem de pequenos-lotes

Pesquisa e desenvolvimento de laboratório, verificação de novos materiais e prototipagem de pequenos-lotes: troca rápida, controle preciso da espessura do filme e baixo consumo de material, adequado para desenvolvimento de formulações fotorresistentes e iteração de processos.

Processo Híbrido (Spin Coating + Pulverização Ultrassônica)

Primeiro, a pulverização ultrassônica forma uma película de base uniforme e, em seguida, o revestimento giratório-de alta velocidade uniformiza o adesivo, equilibrando uniformidade, cobertura de etapas e eficiência de produção, adequado para processos avançados.

Parâmetros Típicos de Processo (Referência)

●Frequência de atomização: 20–120 kHz (100 kHz é comumente usado)

●Tamanho de partícula de atomização: 0,5–50 μm (nível submícron)

●Faixa de espessura do filme: 50 nm–5 μm (50–500 nm é comumente usado para revestimento de precisão)

● Uniformidade de espessura: ±0,3–0,5 μm (wafer de 12 polegadas)

●Material Utilization: >90%