O que é pulverização fotorresistente ultrassônica?

O equipamento de revestimento fotorresistente ultrassônico é um dispositivo especializado para revestimento fotorresistente baseado na tecnologia de atomização ultrassônica. É usado principalmente em campos de fabricação de precisão, como semicondutores, painéis, wafers, MEMS e energia fotovoltaica. Ele atomiza o fotorresiste em gotículas ultrafinas de tamanho nano/mícron-, pulverizando-as uniformemente na superfície de substratos, como wafers e substratos de vidro, substituindo os processos tradicionais de-revestimento por rotação e revestimento por imersão-.

 

Simplificando, é o equipamento principal no "estágio de revestimento de resistência" do processo de fotolitografia, apresentando vantagens como alta precisão, alta uniformidade, baixo consumo de resistência e sem defeitos de turbilhão/borda espessa, tornando-o adequado para os requisitos de revestimento fotorresistente de processos avançados.

 

Principais vantagens tecnológicas(em comparação com o tradicional revestimento giratório/revestimento por imersão)

O revestimento fotorresistente é uma etapa crucial do pré-processo na fotolitografia, e a uniformidade da espessura do filme afeta diretamente a precisão da fotolitografia. As principais vantagens do equipamento de pulverização ultrassônica superam em muito as dos processos tradicionais, o que também é a principal razão para sua ampla adoção em processos de fabricação avançados.

 

1. Uniformidade de revestimento ultra-alta:Uniformidade da espessura do filme Menor ou igual a ± 1%, eliminando as "bordas grossas e centros côncavos" do revestimento giratório, adequado para os requisitos de fotolitografia de processos avançados como 7nm/5nm;

 

2. Consumo fotorresistente extremamente baixo:O revestimento giratório tem uma taxa de utilização de consumo de fotorresistente de apenas 10 a 20%, enquanto a pulverização ultrassônica pode chegar a 80 a 95%, reduzindo significativamente o custo do fotorresistente (um consumível de alto-custo);

 

3. Ampla faixa de espessura de filme controlável:Capaz de revestir filmes finos de 10nm a 100μm, adequado para camadas fotorresistentes ultra-finas e espessas (por exemplo, fotolitografia de embalagens, fotolitografia de furo profundo MEMS);

 

4. Nenhum dano por estresse mecânico:Sem força centrífuga ou rotação de substrato em alta-velocidade, evitando deformações e rachaduras de wafer/substrato, adequado para substratos frágeis (por exemplo, wafers ultra-finos, substratos flexíveis);

 

Adaptável a substratos complexos:Adaptável a substratos complexos: pode revestir substratos não{0}}planares, furos profundos/substratos ranhurados, substratos-de grandes áreas e formas irregulares que não podem ser processadas por revestimento rotativo

 

Ecologicamente correto e livre de poluição-:Baixo consumo de cola, volume extremamente baixo de resíduos de exaustão, sem respingos de névoa de cola como no revestimento giratório, atendendo aos requisitos de produção limpa.